Код 3818 00 900 0
ПРОЧИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ДИСКОВ, ПЛАСТИН ИЛИ В АНАЛОГИЧНЫХ ФОРМАХ; ПРОЧИЕ СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ
РАЗДЕЛ VI
38
3818 00
3818 00 900 0
| Импортная пошлина: | 0% | |
| Экспортная пошлина: | Отсутствует | |
| Ввозной НДС: | 20% |
Документы, необходимые для ввоза (вывоза)
Приведенный список документов основан на коде товара по ТН ВЭД и является ориентировочным. Необходимость получения документов зависит от характеристик конкретного товара.
Свяжитесь с нами для получения более точной информации.
Мы готовы оформить для Вас все эти документы.
Документы экспортного контроля
Виды документов: Идентификационное заключение ФСТЭК, Лицензия ФСТЭК, Разрешение КЭК.
Документы требуются при вывозе с территории России (иногда при ввозе) товаров двойного назначения (или товаров, которые потенциально могут быть отнесены к таковым).
Под товарами двойного назначения понимается продукция, которая потенциально может быть использована как в гражданской, так и в военной сфере.
Примеры декларирования по данному коду
3818 00 900 0
ПОДЛОЖКИ GAAS В ФОРМЕ ДИСКОВ, ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ДАЛЬНЕЙШЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ВЫРАЩИВАНИЯ (ИЗГОТОВЛЕНИЯ) ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР В УСТАНОВКЕ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ: ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ /НЕ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ/; (АРСЕНИД ГАЛЛИЯ) , ЛЕГИРОВАННЫЕ SI (КРЕМНИЕМ) , ДИАМЕТР 76. 20 +/-0. 1 ММ, ТОЛЩИНА 625 +/-25 МКМ, ОРИЕНТАЦИЯ (100) 10ГРАД - (111) А +/-0. 5 ГРАД, ЛИЦЕВАЯ СТОРОНА ПОЛИРОВАНА, ЗАДНЯЯ СТОРОНА ТРАВЛЕННАЯ; (ФИРМА) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛАСТИНЫ (ПОДЛОЖКИ) ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР. В ФОРМЕ ДИСКОВ ДИАМЕТРОМ 3" ДЮЙМА (76. 2+/-0. 3 ММ) И ТОЛЩИНОЙ 0. 35 +/-0. 025 ММ, ЛЕГИРОВАНЫЕ ХИМИЧЕСКИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ. ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ ОСНОВНОГО ИСХОДНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ. НЕ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ БЫТОВОЙ ХИМИИ, НЕ В АЭРОЗОЛЬНОЙ УПАКОВКЕ. ; ОСНОВА ИЗГОТОВЛЕНА ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GAAS) , ЛЕГИРОВАННЫЕ SI (КРЕМНИЕМ) КОЛИЧЕСТВО ЯМОК ТРАВЛЕНИЯ (CM2) 1000; (ФИРМА) AXT INC. ; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
ПРОЧИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ДИСКОВ, ПЛАСТИН ИЛИ В АНАЛОГИЧНЫХ ФОРМАХ; ПРОЧИЕ СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ : ; ДИСКИ ИЗ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ РАЗМЕР Ф34ММ; (ФИРМА) ANSHAN ANZA ELECTRONIC POWER CO. LTD. ,; (TM) ANSHAN ANZA ELECTRONIC POWER
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ, В СЛИТКАХ, ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННОЙ БЫТОВОЙ ТЕХНИКЕ: ; СЛИТКИ, ДИАМЕТРОМ 30ММ, ДЛИНОЙ 240 ММ, (58 ШТ) ; (ФИРМА) ООО "РУСТЕК"; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
ЛЕГИРОВАННЫЙ ХИМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ В ФОРМЕ ПЛАСТИН (ДИСКОВ) ТОЛЩИНОЙ 100 МКМ, ДИАМЕТРОМ 150 МКМ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ИЗ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ (GAAS) И ВЫПОЛНЕННЫХ НА ОСНОВЕ КОМПЛЕКТА ФОТОШАБЛОНОВ "FP661"; ПРИМЕНЯЮТСЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ В КАЧЕСТВЕ ИСХОДНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ ПУТЕМ НАПЫЛЕНИЯ СВЕРХЧИСТОГО И СВЕРХТОНКОГО СЛОЯ ЭЛЕМЕНТОВ; КАЖДАЯ ПЛАСТИНА ПОСТАВЛЯЕТСЯ В РАЗРЕЗАННОМ НА 4 ЧАСТИ ВИДЕ (ВСЕГО 2 КОМПЛЕКТА ПО 4 ПЛАСТИНЫ) ;; ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ PN-ДИОДА МЕЖДУ P-MESA И N-MESA (@ IN= 40 UA) 5, 6 - 7, 6 В, ЕМКОСТЬ 340 - 460 ПФ/ММ2, GM ПИК 410 - 510 МС/ММ, ТОК УТЕЧКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ИЗОЛЯЦИИ 0 - 100 НА, СОПРОТИВЛЕНИЕ TLM ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ 115 - 155; (ФИРМА) WIN SEMICONDUCTORS CORP. , ТАЙВАНЬ; (TM) WIN
3818 00 900 0
СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ПЛАСТИНЫ ДЛЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ, НЕ РАЗРЕЗАННЫЕ НА КРИСТАЛЛЫ, ТИП ПЛАСТИН: "DDH880P" - 60 КВ. СМ (6 ШТ. ), "DDH660P" - 300 КВ. СМ (32 ШТ. ), ХИМ. СОСТАВ: GA (20-38%) AS (52%) AL (10-28%) . ; (ФИРМА) ООО "МЕГА ЭПИТЕХ"; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
ПРОЧИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ДИСКОВ, ПЛАСТИН ИЛИ В АНАЛОГИЧНЫХ ФОРМАХ; ПРОЧИЕ СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ: ; МОНОКРИСТАЛЛ MGO (ПОДЛОЖКА) / ПЛАСТИНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ / ПОДЛОЖКИ ИМЕЮТ ОЧЕНЬ НИЗКУЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ И МИКРОВОЛНОВУЮ ПРОНИЦАЕМОСТЬ, ПРИ ЭТОМ ОНИ ЛЕГКО МОГУТ ДОСТИГАТЬ В ДИАМЕТРЕ 2 ДЮЙМОВ (50. 8 ММ) И БОЛЕЕ. ВСЕ ЭТО ДЕЛАЕТ ИХ ШИРОКО; (ФИРМА) JIAXING AOSITE PHOTONICS TECHNOLOGY CO. ,LTD; (TM) OST
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ, В СЛИТКАХ, ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННОЙ БЫТОВОЙ ТЕХНИКЕ: ; НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА-СЕЛЕНИДА ВИСМУТА (BI2 TE2. 7 SE0. 3) , ДИАМЕТР 30 ММ, ДЛИНА 120 ММ; (ФИРМА) ООО "РУСТЕК"; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
СОЕДИНЕНИЯ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ПЛАСТИНЫ ДЛЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ, НЕ РАЗРЕЗАННЫЕ НА КРИСТАЛЛЫ, ТИП ПЛАСТИН: "DDH800N" - 200 КВ. СМ (21 ШТ. ), "DDH900P" - 250 КВ. СМ (27 ШТ. ), "DDH660P" - 300 КВ. СМ (32 ШТ. ), "DDH630N" - 17 КВ. СМ (2 ШТ. ), ХИМ. СОСТАВ: GA (20-38%) AS (52%) AL (10-28%) . ; (ФИРМА) ООО "МЕГА ЭПИТЕХ"; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ (СОПРОТИВЛЕНИЕ 0, 9-1, 15МОМ) , ГАЛЬВАНИЧЕСКОЕ ПОКРЫТИЕ С ТОРЦОВ NI/SN, В ФОРМЕ КУБИКОВ, ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОННОЙ БЫТОВОЙ ТЕХНИКЕ: ; РАЗМЕР 1. 6X1. 6X2. 0MM, ДЛЯ ВЕТВЕЙ BI2TE2. 7SE0. 3; (ФИРМА) ООО "РУСТЕК"; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ, ИЗГОТОВЛЕН ПО ТУ 1779-001-11300308-08, ПРИМЕНЯЕТСЯ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ЭЛЕКТРОННОЙ БЫТОВОЙ ТЕХНИКИ: ; МАТЕРИАЛ (ПОЛУПРОВОДНИК) , В СЛИТКАХ, ДИАМЕТР 30ММ, ДЛИНА 120ММ-150ММ, ХИМИЧЕСКАЯ ФОРМУЛА "TE 2, 82 SE 0, 18 BI 2", УДЕЛЬНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ "СИГМА" 900-1080, ТЕРМОЭДС "АЛЬФА" 190-220; (ФИРМА) АО "ФЕРРОТЕК НОРД"; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
ЗАТРАВОЧНЫЙ КРИСТАЛЛ КАРБИДА КРЕМНИЯ, ПРЕДСТАВЛЯЕТ СОБОЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЗАТРАВОЧНЫЙ КРИСТАЛЛ КАРБИДА КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННЫЙ АЗОТОМ, В ВИДЕ КРУГЛОЙ ПЛАСТИНЫ. ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ РОСТА ОБЪЕМНОГО МОНОКРИСТАЛЛА, ИСПОЛЬЗУЕМОГО В ЭЛЕКТРОНИКЕ. НЕОБХОДИМ В КАЧЕСТВЕ АКТИВНОЙ ПОВЕРХНОСТИ ИМЕЮЩЕЙ СТРУКТУРНО ХИМИЧЕСКУЮ ИДЕНТИЧНОСТЬ ПО ОТНОШЕНИЮ К ВЫРАЩИВАЕМОМУ КРИСТАЛЛУ, Т. Е. ЯВЛЯЕТСЯ СТРУКТУРНЫМ ШАБЛОНОМ РАСТУЩЕГО НА НЕМ КРИСТАЛЛА; НИЗКОГО-СРЕДНЕГО КАЧЕСТВА, ДИАМЕТР ЗАТРАВКИ: 100. 0 MM +/-1 MM. ТОЛЩИНА ЗАТРАВКИ: 700 - 1100 чM; (ФИРМА) PVA CRYSTAL GROWING SYSTEMS GMBH; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
ХИМИЧЕСКИЕ ХИМИЧЕСКИЕ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, В ФОРМЕ ДИСКОВ, ПЛАСТИН ИЛИ В АНАЛОГИЧНЫХ ФОРМАХ, ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ: АРТ: TRANSFERRED CVD GROWN MONOLAYERS - 1 ШТ. ; НАБОР КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИНОК С НАНЕСЕННЫМИ ХИМИЧЕСКИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЙ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ В ОПТИЧЕСКИХ ЛАБОРАТОРИЯХ. ТОВАР НЕ ДЛЯ МЕДИЦИНСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ. ТОВАР НЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ВЕТЕРИНАРИИ. ТОВАР НЕ ЯВЛЯЕТСЯ ОТХОДАМИ. ; (ФИРМА) 2D SEMICONDUCTORS; (TM) 2D SEMICONDUCTORS
3818 00 900 0
АРТИКУЛ: PBN PLATE 100Х100Х2. 5, 20 ШТ. ПЛАСТИНЫ ПИРОЛИТИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА, РАЗМЕР 100ММ*100ММ*2. 5 СМ. ИЗДЕЛИЕ ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, ЭЛЕКТРОИЗОЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАЗЛИЧНЫХ ДЕТАЛЕЙ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ; ПЛАСТИНЫ ПИРОЛИТИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА, РАЗМЕР 100ММ*100ММ*2. 5 СМ. ИЗДЕЛИЕ ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, ЭЛЕКТРОИЗОЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАЗЛИЧНЫХ ДЕТАЛЕЙ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ; (ФИРМА) SHIN-ETSU CHEMICAL CO. , LTD; (TM) SHIN-ETSU
3818 00 900 0
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛАСТИНЫ (ПОДЛОЖКИ) EUTECTIC В ФОРМЕ ДИСКА ДИАМЕТРОМ (54 ММ И ТОЛЩИНОЙ 0. 35-0. 45+/-0. 015-0. 025 ММ) , ЛЕГИРОВАННЫЕ ХИМИЧЕСКИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ. ИСПОЛЬЗУЕТСЯ КАК СПЕЦИАЛЬНАЯ ПОДЛОЖКА, НЕОБХОДИМАЯ ДЛЯ КАЛИБРОВКИ ДАТЧИКА ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В СИСТЕМЕ CCS 3X2"(1X4") . ПРИМЕНЯЕТСЯ В УСТАНОВКЕ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ CCS 3X2"(1X4") . НЕ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ БЫТОВОЙ ХИМИИ, НЕ В АЭРОЗОЛЬНОЙ УПАКОВКЕ. ДЛЯ СОБСТВЕННЫХ НУЖД. ЗАМЕНА ПО ГАРАНТИИ. ; (ФИРМА) AIXTRON LTD; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
ЗАГОТОВКИ ДЛЯ ДАТЧИКОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ИЗ СЕЛЕНИДА ЦИНКА: ТУ 6341-009-07562149-07. ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ РЕНТГЕНОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ ВЕРТИКАЛЬНОЙ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛИЗАЦИИ ИЗ РАСПЛАВА. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ РАЗМЕРЫ ЭЛЕМЕНТОВ: - ТОЛЩИНА 0. 60ММ +/- 0. 015ММ, - ДЛИНА 18. 82ММ +/-0. 020ММ, - ШИРИНА 2. 30ММ +/-0. 050ММ. - ОТНОСИТЕЛЬНАЯ ИНТЕНСИВНОСТЬ РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ, ОТН. ЕД. - 250 - ПЛОТНОСТЬ, Г/СМ3 - 5. 42 БУДУТ ИСПОЛЬЗОВАТЬСЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, ПРИМЕНЯЕМЫХ ДЛЯ ТАМОЖЕННОГО ДОСМОТРА В АЭРОПОРТАХ. *НЕ ОТХОДЫ, НЕ СОДЕРЖАТ НЕОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ ФТОРА. ; КРИСТАЛЛЫ СЕЛЕНИДА ЦИНКА (ZNSE) К. 12; (ФИРМА) АО "НИИ МВ"; (TM) RIMST
3818 00 900 0
МОНОКРИСТАЛЛЫ (БУЛИ) SIC (КАРБИД КРЕМНИЯ) , ПРИМЕНЯЮТСЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК В ЭЛЕКТРОННОЙ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ. ; ПРЕДСТАВЛЯЮТ СОБОЙ СЛИТОК МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ (SIC) , КОНЕЧНОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ: ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИИ РЕЗКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ. ; (ФИРМА) АО СВЕТЛАНА-ЭЛЕКТРОНПРИБОР; (TM) БЕЗ ТОВАРНОГО ЗНАКА
3818 00 900 0
РЕНТГЕНОЧУВСТВИЕТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ СИЛИНИДА ЦИНКА (ZNSE) , ЯВЛЯЮТСЯ ЗАГОТОВКАМИ ДЛЯ ДАТЧИКОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, ИЗГОТОВЛЕНЫ ИЗ КРИСТАЛЛА СИЛИНИДА ЦИНКА, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ВЕРТИКАЛЬНОЙ НАПРВЛЕННОЙ КРИСТАЛИЗАЦИИ ИЗ РАСПЛАВА. ; К. 12: ГЕОМЕНТРИЧЕСКИЕ РАЗМЕРЫ ЭЛЕМЕНТОВ: ТОЛЩИНА 0. 60+/-0. 015 ММ; ДЛИНА 18. 82+/-0. 020 ММ; ШИРИНА 2. 30+/-0. 05ММ. ; (ФИРМА) АО "НИИ МВ"; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
ПОДЛОЖКИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ГЕРМАНИЯ В ФОРМЕ ДИСКОВ ЛЕГИРОВАННЫЕ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ, ТОВАР УПАКОВАН В ДВОЙНЫЕ ГОФРИРОВАННЫЕ КАРТОННЫЕ КОРОБКИ, ТОВАР МОЖНО ВСКРЫВАТЬ В ПОМЕЩЕНИЯХ ПРИ СТЕРИЛЬНЫХ УСЛОВИЯХ КЛАССА 8 И ВЫШЕ: ; ЭЛЕКТРОННОГО КЛАССА В ФОРМЕ ДИСКОВ, ЛЕГИРОВАННЫЕ ГАЛЛИЕМ, ЯВЛЯЮЩИЕСЯ ОСНОВОЙ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ. ДИАМЕТР ПОДЛОЖЕК 99. 9000-100. 1000 ММ, ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ 0. 125-0. 150 ММ. - НОМЕР ПАРТИИ XXXXXX; (ФИРМА) "N. V. UMICORE S. A. " ELECTRO-OPTIC MATERIALS; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
3818 00 900 0
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛАСТИНЫ (ПОДЛОЖКИ) ПРЕДНАЗНАЧЕННЫЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР. В ФОРМЕ ДИСКОВ ДИАМЕТРОМ 4" ДЮЙМА (101. 6+/-0. 3 ММ) И ТОЛЩИНОЙ 0. 35 +/-0. 025 ММ, ЛЕГИРОВАНЫЕ ХИМИЧЕСКИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ. ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ ОСНОВНОГО ИСХОДНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ. НЕ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ БЫТОВОЙ ХИМИИ, НЕ В АЭРОЗОЛЬНОЙ УПАКОВКЕ. УПАКОВАНЫ В ИНДИВИДУАЛЬНЫЕ ПЛАТИКОВЫЕ КЕЙСЫ 0. 045 КГ X 100 ШТ И В 3 КАРТОННЫХ КОРОБКИ. ОБЩИЙ ВЕС УПАКОВКИ СОСТАВЛЯЕТ 11. 999 КГ. ; ОСНОВА ИЗГОТОВЛЕНА ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (GAAS) , ЛЕГИРОВАННЫЕ SI (КРЕМНИЕМ) КОЛИЧЕСТВО ЯМОК ТРАВЛЕНИЯ (CM2) 1000; (ФИРМА) SEI INTERCONNECT PRODUCTS (EUROPE) LTD. ; (TM) ОТСУТСТВУЕТ
Решения по классификации товаров по данному коду
3818 00 900 0
Товар представляет собой подложку в форме дисков диаметром 100, 00 - 100, 02 мм, толщиной 143-150 микрон, выполненные из монокристаллического германия электронного класса, легированные галлием. Товар применяется для производства элементов солнечных батарей и являются основой, на которой сверху выращены (осаждены, нанесены) эпитаксиальные слои, образующие структуру элементов солнечных батарей. Товар упакован в индивидуальный пластмассовый пенал.
3818 00 900 0
Эпитаксиальные структуры . .. (145 мкм) представляют собой подложки в форме дисков диаметром 100±0, 25 мм, толщиной 150±20 мкм, выполненные из монокристаллического германия электронного класса, легированные галлием. Товар применяется для производства элементов солнечных батарей и являются основой, на которой сверху выращены (осаждены, нанесены) эпитаксиальные слои, образующие структуру элементов солнечных батарей. Товар упакован в индивидуальный пластмассовый пенал с резьбой.